エピタキシャル ウェハ: Epitaxial Wafers
オプトランスでは、最新の結晶成長を用いて 高品質なエピタキシャルウエハを製造しています。
また、充実した非破壊評価技術により品質管理に努めています。特にInP基板に成長したエピタキシャル結晶は超高速性で高い評価を得ています。
InP(インジウムリン）を用いた電子デバイスはSi(シリコン）やGaAs(ガリウム砒素）に比べて電子移動度が早いことから高速性に優れています。また、光デバイスでもSiやGaAsに比べて長い波長の赤外領域までの発光と受光が可能です。
1.電子デバイス HBTとHEMT
2.発光デバイス LEDとPSL
3.受光デバイス PIN-PDとAPD
オプトランスではInP或いはGaAs基板上にMetal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)法を用いて原子配列を制御して結晶を成長しています。成長用途に合致したMOCVD装置を６台保有し、定期的な分解メンテナンスを自社で実施することで高い再現性を維持しています。再現性の良い成長技術が高品質なエピタキシャルウエハの証です。
・光通信
・無線通信
・防衛システム
・制御システム
・暗視カメラ、サーモグラフ
・太陽電池